Micron Technology
IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA (EDB4064B4PB-1D-F-R TR)
Part Number: EDB4064B4PB-1D-F-R TR
Documents / Media: datasheets EDB4064B4PB-1D-F-R TR
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: DRAM
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR2
- Объем памяти: 4Gb (64M x 64)
- Скорость: 533MHz
- Write Cycle Time - Word, Page: -
- Время доступа: -
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 1.14 V ~ 1.95 V
- Рабочая температура: -30°C ~ 85°C (TC)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 216-WFBGA
- Исполнение корпуса: 216-WFBGA (12x12)
Цена по запросу